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ma-N 2400、mr-EBL-Micro Resist电子束及深紫外光刻

发布时间:2023-11-22        浏览次数:2        返回列表
前言:德国Micro
ma-N 2400、mr-EBL-Micro Resist电子束及深紫外光刻

德国Micro Resist公司创立于1993年.公司生产的高性能各种用于微纳制作的光刻胶,除了生产用于i、g和h线的光刻胶以外,还有电子束刻蚀胶和纳米压印胶以及专门用于光学波导制作的光胶可供选择。

ma-N 2400系列   

电子束和深紫外曝光 

电子束和深紫外灵敏;非常适合作为刻蚀掩模,*的抗干刻、湿刻性能;胶图案良好的热稳定性;优异的图案分辨率-50 nm以下;碱性水溶液下显影;

mr-EBL 6000

电子束曝光

电子束和深紫外灵敏;非常适合作为刻蚀掩模,*的抗干刻、湿刻性能;光胶图案良好的热稳定性;优异的图案分辨率-80 nm以下;碱性水溶液下显;


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